SSC65T50GT6 - Trench FSII Fast IGBT，具有MOS管高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面優(yōu)點。該產(chǎn)品為TO-263-3L單管封裝，VCES=650V, VGES=±20V, IC=50A(100℃) ；VGE(th)=4.5V(Typ.)產(chǎn)品工藝為精細(xì)溝槽結(jié)構(gòu)，低導(dǎo)通壓降，正溫度系數(shù)，低開關(guān)損耗，易于并聯(lián)使用。主要用于家電、醫(yī)美、儲能等變頻、逆變、電機驅(qū)動、發(fā)光發(fā)熱電路的應(yīng)用。
